GaN是一种常用于电子器件中的材料，而其良好性质的展现一定程度上依赖于对其表面的处理。近年来，光辅助腐蚀的方式就被广泛应用于GaN表面处理，以期提高其电子学性能甚至应用于器件制备。那么，光辅助腐蚀究竟是如何实现的呢？
光辅助腐蚀的核心在于腐蚀液的光响应性质。目前广泛使用的光响应性腐蚀液是氢氟酸 (HF) 和过酸化氢 (H2O2) 的混合物。在腐蚀液中，H2O2 的主要作用是氧化 G aN 表面形成的氧化层，HF则通过与氧化层形成硅酸盐和氟化物，切割表面并形成四氢氟酸(HF4)。在光的激励下，HF产生的HF4分解成HF和F，加速切割速度，并且同时也很容易反应表面形成的氧化层，实现GaN表面的高效腐蚀。
光辅助腐蚀不仅仅是GaN电子器件研究领域的一个工具，更是专门开发新制备工艺的重要技术手段。通过对腐蚀液参数、光照条件等参数的调控，可以制备 G aN 多孔结构、周期铂掺杂GaN（P-GaN）结构等器件。P-GaN结构的形成在LED制造上有很好的应用前景，其通过设置带电区来改善InGaN量子阱和减少倒偏方式下发光蓝移的问题。相信在不久的将来，光辅助腐蚀技术将在GaN相关器件制备领域大放异彩。
